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Flash芯片未来3年都会高价位真的很缺货

2017-05-24| 发布者: 顺宇电子| 分类: 新闻中心

从2016年第四季度开始,固态硬盘和内存价格就开始快速上涨,平均都达到了30%的涨幅,到今年华为P10“存储门”的事件,大家明显的感觉到flash芯片真的很缺货了。日前存储器控制芯片大厂群联董事长潘健成对媒体表示,目前 NAND Flash 芯片需求相当强劲,加上主要厂商大多表示,未来 3 年产能仍无法满足市场需求的情况下,因此预期 2017 年第 3 季 NAND Flash 会比 2017 年第 1 季还要缺货,可能会是史上最缺货的一季的说法,外资也跟着表示,因为未来新款手机内建储存容量不断提高的情况下,2017 年 NAND Flash 缺货的情况将不容易缓解。
 
 
根据外资的报告指出,NAND Flash 的产能问题,2017 年三星、美光、东芝/西数、SK Hynix 都会在下半年量产 64 层,以及 72 层堆栈的 3D NAND Flash 的情况下,原本预计产能会有大幅度提升。
 
但是,在 NAND 技术升级还要面临良率的问题考验下,产能是否能够顺利提升恐怕还有门槛。另外,在推动 NAND Flash 需求上涨的诸多原因中,手机内建存储容量的增加确实是个重要关键。随着目前行动 App 容量越来越大,部分手机游戏的容量已经不比单机游戏小。加上实时通讯软件的快速发展,包括聊天纪录、语音通话、图片档案等,都让手机内建储存需求直线上升。
 
因此,从之前的 16/32GB ,一跃到目前的 32/64GB 内建储存容量,导致 NAND Flash 的需求翻倍上涨,更别说很多高端手机的内建储存容量直接达到 128GB 的规模,都让 NAND Flash 市场供货更加吃紧。
 
此外,2017 年秋季,在苹果即将发表的新一代 iPhone 系列手机中,大家最关注的就是所谓的 10 周年纪念版的部分。因为,除了搭配 OLED 屏幕、无线充电、高屏幕占比等卖点之外,据称储存容量也会大幅增加以符合其地位。
 
因此起步容量就达到了 128GB,这相较目前 32GB 的起步容量要大得多。如此,不但将大幅增加市场需求,加剧 NAND Flash 的缺货问题。因此,在市场需求不断提升,但是产能又跟不上需求的情况下,2017 年 NAND Flash 的供货吃紧状况恐将难以纾解。
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